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型号 PHD16N03T,118
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
PHD16N03T,118 PDF
代理商 PHD16N03T,118
标准包装 2,500
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 13.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 100 毫欧 @ 13A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 5.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 180pF @ 30V
功率 - 最大 32.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 带卷 (TR)
其它名称 934057666118
PHD16N03T /T3
PHD16N03T /T3-ND
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